| Resumo : |
Este trabalho de mestrado realizou um estudo teórico e experimental da aplicação de dispositivos fotônicos integrados, em especial de cavidades em anel em silício na plataforma silicon on insulator (SOI), para aplicações na tecnologia de RF em Fotônica. Atualmente, dispositivos fotônicos integrados comerciais já são realidade, congregando, dentre outras características: grande largura de banda, alta velocidade de resposta, elevado nível de integração, baixo nível de consumo energético, capacidade de sintonia e reconfiguração, grande disponibilidade de matéria-prima (silício), compatibilidade com os processos de microfabricação convencionais e alta imunidade à interferência eletromagnética. Essas características são altamente atrativas ao setor aeroespacial e em áreas emergentes como em sistemas de Radar Fotônico, onde um único sistema Radar englobará potencialidades de radares de busca, aquisição e acompanhamento. Outros sistemas que têm se beneficiado da tecnologia fotônica são as antenas de varredura eletrônica (Phased Array Antennas - PAA). As PAA com tecnologia fotônica possuem a grande vantagem de praticamente eliminar o efeito Squint, um clássico limitador de largura de banda das PAA convencionais. Dispositivos que causam efeito de retardo de tempo, como as cavidades em anel, são fundamentais no controle do direcionamento dos feixes eletromagnéticos emitidos pelas PAA. Dessa forma, este trabalho investigou o desvio de fase e, por conseguinte, o retardo de tempo causado pelas ressonâncias de uma cavidade em anel fotônica, com efeito sobre um sinal de RF que modula em intensidade o feixe de luz de uma fonte laser. São analisados os dados experimentais referentes a valores de frequências de RF de modulação entre 300 MHz e 6 GHz, e tais resultados são comparados com as previsões teóricas. Foi observada uma operação livre do efeito Squint em uma largura de banda de aproximadamente 2 GHz, apresentando uma faixa linear de controle de retardo de tempo de aproximadamente 92 ps. |