| Resumo : |
Neste trabalho são apresentadas comparações entre experimentos envolvendo recobrimento de peças de grafite por filmes de carbeto de silício (SiC), realizados através de processos Deposição Química por Vapor (CVD), por meio de um reator tubular de parede quente. O precursor utilizado foi o metiltriclorosilano e utilizou-se gás hidrogênio como reagente e argônio como gás de arraste. As amostras obtidas foram analisadas segundo as técnicas de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e Difração por raios X (DRX). Foram estudados o efeito da temperatura no resultado dos filmes, bem como o efeito da pressão parcial do reagente.
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